内存价格暴涨期完结 美光下调资本开销和产量

作者:admin   发布时间:2018-12-21 16:54   浏览:
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  Sanjay在电话会议上也外示,DRAM价格疲柔的态势将不息。“原由DRAM价格永远上涨,吾们认为片面客户的库存高于平常情况。随着DRAM供答赶上需要,这些客户正在降矮库存程度。”

  自2016年以来的存储器价格不息上涨让三星打败了英特尔,成为全球最大的半导体厂商。

  现在,三星、SK海力士、美光在DRAM产业的市占率达到90%以上。在暴涨了近两年后,存储器价格终于下跌。

  美光展望,2019年DRAM和NAND需要将削弱,所以下调了第二财季的营收,展望为57亿到63亿美元之间,矮于分析师预期的73亿美元。美光公司总裁兼始席实走官Sanjay Mehrotra在随后的电话会议上外示,“吾们正采取武断走动,包括大幅降矮2019财年资本开支”,缩短NAND 及DRAM产量以维持价格。

  中国是世界上最大的集成电路市场,占全球份额一半以上。受存储芯片涨价影响,中国2017年进口存储芯片889.21亿美元,同比2016年的637.14亿美元添长39.56%。

  全球最大的存储器厂商三星也外示,将放缓存储器半导体营业的膨胀步伐。据晓畅,三星2018年下半年原计划对DRAM及NAND Flash进走新投资,但现在或将延至2019年,取而代之的是对现有产线进走补强投资。

  他指出,智能手机营业部分的需要也在不息削弱。此外,英特尔CPU欠缺的影响也在不息。 “固然吾们的客户以及市场对工业、云、企业等细分市场的需要是郑重的,但此次库存调整期将导致DRAM的需要疲柔,并将能够会不息到2019年上半年。”

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  12月19日,美国存储器大厂美光公司发布了截至11月29日的2019财年一季度财报。通知表现,美光当季营收79.1亿美元,同比添长16%,净收好32.9亿美元,同比添长23%。不过,原由营收和下季度业绩展看矮于分析师预期,美光股价在盘后下跌近9%。

  从2018年开起,NAND闪存价格已展现疲柔,并将不息到2019年,而DRAM内存价格在三季度也由涨转跌,三大存储器厂商纷纷进走营业调整。

  但受中美贸易摩擦影响,添上英特尔CPU缺货、苹果新机出售不如预期等因素,导致旺季不旺。自岁首以来的供给过剩仍难以消除,NAND Flash各类产品相符约价仍走跌,第三季平均价格跌幅达10-15%。

  原标题:内存价格暴涨期完结,美国存储器巨头美光下调资本开销和产量

  展看第四季度,DRAMeXchange分析师叶茁壮指出,原由西洋节庆备货已大致完善、模组厂及各OEM限制库存,以及中美贸易摩擦不息进走,导致需要不息走弱,展望第四季仍维持供过于求态势,各类产品相符约价跌幅添剧。

  对于DRAM,该机构称,10月份的DRAM相符约价已经正式走跌,除了宣告DRAM价格涨势告一段落,供过于求添上高库存水位的影响更导致价格跌幅强烈。

  按照集邦询问半导体钻研中间(DRAMeXchange)最新通知指出,随着64/72层3D NAND生产良率渐趋成熟及供给不息增补,第三季NAND Flash供给安详成长。

  在美光之前,其在韩国的竞争对手三星和SK海力士也进走了调整。SK海力士此前外示,为了答对2019年NAND 及DRAM价格下跌的趋势,该公司决定自2018岁暮前开起缩短投资周围,并将监控调整2019年的产能。

  预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未十足消化前,2019年第一季的相符约价恐将面临更大的削价压力。

  作者:来莎莎

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